التخليق والمعالجة
نظام تخليق الأغشية الرقيقة والمواد النانوية بالترسيب الكيميائي من البخار (CVD)
تخليق الغرافين والأنابيب النانوية الكربونية وثنائيات كالكوجينيد المعادن الانتقالية والأغشية الأكسيدية الرقيقة بتقنية CVD بفرن أنبوبي تحت تدفق غازي ومقاطع حرارية مضبوطة.
باختصار
تخليق الغرافين والأنابيب النانوية الكربونية وثنائيات كالكوجينيد المعادن الانتقالية والأغشية الأكسيدية الرقيقة بتقنية CVD بفرن أنبوبي تحت تدفق غازي ومقاطع حرارية مضبوطة. النظام منصة ترسيب كيميائي حراري من البخار (CVD) تتألف من أنبوب تفاعل من الكوارتز، وخط غاز عملية يُغذّى عبر متحكمات التدفق الكتلي (MFC)، ومضخة تفريغ، وضبط للضغط.
- نوع العملية
- CVD حراري بتكوين فرن أنبوبي
- المفاعل
- أنبوب تفاعل من الكوارتز
- التحكم في الغاز
- متحكمات تدفق كتلي متعددة القنوات (Ar وH₂ والهيدروكربونات وغازات عملية أخرى)
الخدمات المتاحة على هذا الجهاز
ترسيب الأغشية الرقيقة: CVD والتحلل الحراري بالرذاذ والطلاء بالدوران
ابتداءً من 710 €7–15 يوم عملاطلب هذه الخدمةتفاصيل الخدمةتدريب مشغّلي الأجهزة
ابتداءً من 420 €14–30 يوم عملاطلب هذه الخدمةتفاصيل الخدمة
نظرة عامة
النظام منصة ترسيب كيميائي حراري من البخار (CVD) تتألف من أنبوب تفاعل من الكوارتز، وخط غاز عملية يُغذّى عبر متحكمات التدفق الكتلي (MFC)، ومضخة تفريغ، وضبط للضغط. تتحلل غازات السلائف، أو السلائف الصلبة والسائلة المبخَّرة، أو تتفاعل عند سطح الركيزة ضمن منطقة حرارة مضبوطة لتكوين أغشية رقيقة أو بنى نانوية. وتشمل العمليات المعتادة نمو الغرافين على رقائق النحاس أو النيكل تحت تدفق الأرجون والهيدروجين والهيدروكربونات، وتخليق الأنابيب النانوية الكربونية على ركائز مغطاة بمحفز، ونمو طبقات أحادية من ثنائيات كالكوجينيد المعادن الانتقالية مثل MoS₂ وWS₂، وطلاءات أكاسيد ونتريدات المعادن، والتلدين تحت جو مضبوط. وتتيح برمجة الحرارة متعددة الأجزاء، والتشغيل من الضغط الجوي حتى الضغط المنخفض، وخلائط الغاز القابلة للبرمجة، وضع وصفات نمو قابلة للتكرار. وتُوصَّف المواد المنتجة في المركز نفسه بقياسات رامان وSEM/EDS وXRD والمسبار رباعي النقاط، بما يربط معاملات التخليق بالبنية والخواص.
مبدأ القياس
القدرات
نمو الغرافين أحادي الطبقة وقليل الطبقات على رقائق النحاس والنيكل
تخليق الأنابيب النانوية الكربونية على ركائز مغطاة بمحفز
أغشية ثنائية الأبعاد من ثنائيات كالكوجينيد المعادن الانتقالية مثل MoS₂ وWS₂
طلاءات أغشية رقيقة من أكاسيد ونتريدات المعادن
تلدين تحت جو مضبوط في الأرجون والهيدروجين وخلائط الغازات
وصفات نمو قابلة للتكرار متعددة الأجزاء بتحكم MFC
العينات المناسبة
ركائز من رقائق النحاس والنيكل ومعادن أخرى
رقائق السيليكون وSiO₂/Si
ركائز الكوارتز والياقوت والزجاج
حوامل مغطاة بمحفز
مساحيق ومواد ليفية (تلدين تحت جو مضبوط)
سلائف أكاسيد المعادن والكربون
المواصفات التقنية
| نوع العملية | CVD حراري بتكوين فرن أنبوبي |
|---|---|
| المفاعل | أنبوب تفاعل من الكوارتز |
| التحكم في الغاز | متحكمات تدفق كتلي متعددة القنوات (Ar وH₂ والهيدروكربونات وغازات عملية أخرى) |
| نطاق الضغط | من الضغط الجوي إلى الضغط المنخفض (بمضخة تفريغ) |
| برمجة الحرارة | PID متعدد الأجزاء؛ يغطي درجات حرارة نمو الغرافين والأنابيب النانوية الكربونية |
| المنتجات المعتادة | الغرافين والأنابيب النانوية الكربونية وطبقات TMD الأحادية والأغشية الأكسيدية/النتريدية |
الخدمات المتاحة على هذا الجهاز
ترسيب الأغشية الرقيقة: CVD والتحلل الحراري بالرذاذ والطلاء بالدوران
ابتداءً من 710 €7–15 يوم عملاطلب هذه الخدمةتفاصيل الخدمةتدريب مشغّلي الأجهزة
ابتداءً من 420 €14–30 يوم عملاطلب هذه الخدمةتفاصيل الخدمة
- رقم الكتالوج
- 9
إجابات سريعة
CVD: أهم المعلومات
فيمَ يُستخدم نظام تخليق الأغشية الرقيقة والمواد النانوية بالترسيب الكيميائي من البخار (CVD)؟
يُستخدم في: نمو الغرافين أحادي الطبقة وقليل الطبقات على رقائق النحاس والنيكل وتخليق الأنابيب النانوية الكربونية على ركائز مغطاة بمحفز وأغشية ثنائية الأبعاد من ثنائيات كالكوجينيد المعادن الانتقالية مثل MoS₂ وWS₂ وطلاءات أغشية رقيقة من أكاسيد ونتريدات المعادن وتلدين تحت جو مضبوط في الأرجون والهيدروجين وخلائط الغازات ووصفات نمو قابلة للتكرار متعددة الأجزاء بتحكم MFC.
ما العينات التي يمكن تحليلها باستخدام نظام تخليق الأغشية الرقيقة والمواد النانوية بالترسيب الكيميائي من البخار (CVD)؟
العينات المناسبة: ركائز من رقائق النحاس والنيكل ومعادن أخرى ورقائق السيليكون وSiO₂/Si وركائز الكوارتز والياقوت والزجاج وحوامل مغطاة بمحفز ومساحيق ومواد ليفية (تلدين تحت جو مضبوط) وسلائف أكاسيد المعادن والكربون.
ما خدمات NAKTEM التي تستخدم نظام تخليق الأغشية الرقيقة والمواد النانوية بالترسيب الكيميائي من البخار (CVD)؟
ترسيب الأغشية الرقيقة: CVD والتحلل الحراري بالرذاذ والطلاء بالدوران وتدريب مشغّلي الأجهزة.
ما النتائج التي أحصل عليها؟
المخرجات المعتادة: عينات أغشية رقيقة مترسبة على الركائز المتفق عليها (مُعلَّمة في عبوة واقية) وسجل العملية متضمناً تركيب السلائف/الغاز ودرجة الحرارة والضغط ومعدل التدفق وسرعة الدوران والمدة وخريطة المنطقة المطلية وتقييم التجانس البصري والمقاومة السطحية أو السماكة أو التحقق من الطور بـ XRD/رامان أو التصوير بـ SEM عند الطلب وتقرير ملخص العملية (PDF).
خدمات ذات صلة
تحضير العينات ومعالجتها
ترسيب الأغشية الرقيقة: CVD والتحلل الحراري بالرذاذ والطلاء بالدوران
إنتاج أغشية رقيقة وظيفية وطلاءات أكسيدية وطبقات نانوية بالترسيب الكيميائي للبخار والتحلل الحراري بالرذاذ فوق الصوتي والطلاء بالدوران.
التدريب
تدريب مشغّلي الأجهزة
تدريب عملي لمشغّلي الأجهزة التحليلية بما فيها SEM/EDS وXRD ورامان وقياس الريولوجيا، يشمل تحضير العينات والقياس وتفسير البيانات.
أجهزة ذات صلة
المطيافية والحيود
نظام مطيافية ميكرو-رامان البؤري المبني على Olympus BX43F
مطيافية ميكرو-رامان بإثارة ليزرية للتعرف الكيميائي والبنيوي بدقة ميكرومترية، بما في ذلك تحليل الأطوار والعيوب في المواد الكربونية والبوليمرات والمعادن.
المجهر والتصوير
المجهر الإلكتروني الماسح ZEISS EVO 10 مع كاشف EDS من أكسفورد
تصوير مورفولوجيا السطح بمقياس النانومتر مع رسم خرائط عنصرية متزامنة بواسطة مطيافية الأشعة السينية المشتتة للطاقة.
الطلاء والأغشية الرقيقة
نظام Siansonic لترسيب الأغشية الرقيقة بالرش الحراري فوق الصوتي
ترسيب أغشية رقيقة متجانسة من أكاسيد المعادن والمواد الموصلة والوظيفية على ركائز مسخّنة عبر التذرية فوق الصوتية لمحاليل السلائف.
الكيمياء الكهربائية والقياسات الكهربائية
نظام قياس المقاومة السطحية بالمسبار رباعي النقاط Ossila P2010A2
قياس المقاومة السطحية والمقاومة النوعية والموصلية للأغشية الرقيقة والطلاءات ورقائق أشباه الموصلات باستقلال عن مقاومة التلامس.
طلب تحليل على هذا الجهاز
حدّثونا عن عينتكم وسؤالكم. يؤكد علماؤنا الجدوى ويقترحون خطة قياس.
