سنتز و فرآوری
سامانهٔ سنتز لایهٔ نازک و نانومواد به روش رسوبدهی شیمیایی از فاز بخار (CVD)
سنتز گرافن، نانولوله‌های کربنی، دی‌کالکوژنیدهای فلزات واسطه و لایههای نازک اکسیدی با CVD کورهٔ لوله‌ای تحت جریان گاز و پروفایل دمایی کنترلشده.
خلاصه
سنتز گرافن، نانولوله‌های کربنی، دی‌کالکوژنیدهای فلزات واسطه و لایههای نازک اکسیدی با CVD کورهٔ لوله‌ای تحت جریان گاز و پروفایل دمایی کنترلشده. این سامانه یک بستر رسوبدهی شیمیایی حرارتی از فاز بخار (CVD) است که از لولهٔ واکنش کوارتزی، خط گاز فرایند تغذیه‌شده از طریق کنترل‌کننده‌های جریان جرمی (MFC)، پمپ خلأ و کنترل فشار تشکیل شده است.
- نوع فرایند
- CVD حرارتی، پیکربندی کورهٔ لوله‌ای
- راکتور
- لولهٔ واکنش کوارتزی
- کنترل گاز
- کنترل‌کننده‌های جریان جرمی چندکاناله (Ar، H₂، هیدروکربن و سایر گازهای فرایند)
خدمات ارائه‌شده با این دستگاه
لایهنشانی نازک: CVD، پیرولیز پاششی و پوششدهی چرخشی
از €۷۱۰7 تا 15 روز کاریدرخواست این خدمتجزئیات خدمتآموزش اپراتور دستگاه
از €۴۲۰14 تا 30 روز کاریدرخواست این خدمتجزئیات خدمت
نمای کلی
این سامانه یک بستر رسوبدهی شیمیایی حرارتی از فاز بخار (CVD) است که از لولهٔ واکنش کوارتزی، خط گاز فرایند تغذیه‌شده از طریق کنترل‌کننده‌های جریان جرمی (MFC)، پمپ خلأ و کنترل فشار تشکیل شده است. گازهای پیش‌ساز یا پیشسازهای جامد و مایع تبخیرشده، در ناحیهٔ دمایی کنترلشده بر سطح زیرلایه تجزیه یا واکنش می‌کنند و لایهٔ نازک یا نانوساختار تشکیل می‌دهند. فرایندهای معمول شامل رشد گرافن روی فویل مس یا نیکل تحت جریان آرگون، هیدروژن و هیدروکربن، سنتز نانولولهٔ کربنی روی زیرلایههای پوششدادهشده با کاتالیست، رشد تک‌لایهٔ دی‌کالکوژنیدهای فلزات واسطه مانند MoS₂ و WS₂، پوششهای اکسید و نیترید فلزی، و آنیل با اتمسفر کنترلشده است. برنامه‌ریزی دمایی چندمرحلهای، کارکرد از فشار اتمسفری تا فشار پایین و مخلوطهای گازی برنامه‌پذیر، تدوین دستورالعملهای رشد تکرارپذیر را ممکن می‌سازند. مواد تولیدشده در همین مرکز با اندازه‌گیری‌های رامان، SEM/EDS، XRD و پروب چهارنقطه‌ای مشخصه‌یابی می‌شوند و پارامترهای سنتز به ساختار و خواص پیوند می‌یابند.
اصل اندازه‌گیری
قابلیت‌ها
رشد گرافن تکلایه و چندلایه روی فویل مس و نیکل
سنتز نانولولهٔ کربنی روی زیرلایههای پوششدادهشده با کاتالیست
لایههای دوبعدی دیکالکوژنید فلزات واسطه مانند MoS₂ و WS₂
پوششهای لایهٔ نازک اکسید و نیترید فلزی
آنیل با اتمسفر کنترلشده در آرگون، هیدروژن و مخلوطهای گازی
دستورالعملهای رشد تکرارپذیر چندمرحلهای با کنترل MFC
نمونههای مناسب
زیرلایههای فویل مس، نیکل و سایر فلزات
ویفرهای سیلیکون و SiO₂/Si
زیرلایههای کوارتز، یاقوت کبود و شیشه
نگهدارندههای پوششدادهشده با کاتالیست
پودرها و مواد الیافی (آنیل با اتمسفر کنترلشده)
پیشسازهای اکسید فلزی و کربنی
مشخصات فنی
| نوع فرایند | CVD حرارتی، پیکربندی کورهٔ لوله‌ای |
|---|---|
| راکتور | لولهٔ واکنش کوارتزی |
| کنترل گاز | کنترل‌کننده‌های جریان جرمی چندکاناله (Ar، H₂، هیدروکربن و سایر گازهای فرایند) |
| گسترهٔ فشار | از فشار اتمسفری تا فشار پایین (با پمپ خلأ) |
| برنامه‌ریزی دما | PID چندمرحلهای؛ دماهای رشد گرافن و نانولولهٔ کربنی را پوشش می‌دهد |
| محصولات معمول | گرافن، نانولولهٔ کربنی، تک‌لایه‌های TMD، لایههای اکسیدی/نیتریدی |
خدمات ارائه‌شده با این دستگاه
لایهنشانی نازک: CVD، پیرولیز پاششی و پوششدهی چرخشی
از €۷۱۰7 تا 15 روز کاریدرخواست این خدمتجزئیات خدمتآموزش اپراتور دستگاه
از €۴۲۰14 تا 30 روز کاریدرخواست این خدمتجزئیات خدمت
- شمارهٔ کاتالوگ
- 9
پاسخ‌های سریع
CVD: نکات کلیدی
سامانهٔ سنتز لایهٔ نازک و نانومواد به روش رسوبدهی شیمیایی از فاز بخار (CVD) برای چه کاری استفاده میشود؟
کاربردها: رشد گرافن تکلایه و چندلایه روی فویل مس و نیکل، سنتز نانولولهٔ کربنی روی زیرلایههای پوششدادهشده با کاتالیست، لایههای دوبعدی دیکالکوژنید فلزات واسطه مانند MoS₂ و WS₂، پوششهای لایهٔ نازک اکسید و نیترید فلزی، آنیل با اتمسفر کنترلشده در آرگون، هیدروژن و مخلوطهای گازی، و دستورالعملهای رشد تکرارپذیر چندمرحلهای با کنترل MFC.
با سامانهٔ سنتز لایهٔ نازک و نانومواد به روش رسوبدهی شیمیایی از فاز بخار (CVD) چه نمونههایی را میتوان آنالیز کرد؟
نمونههای مناسب: زیرلایههای فویل مس، نیکل و سایر فلزات، ویفرهای سیلیکون و SiO₂/Si، زیرلایههای کوارتز، یاقوت کبود و شیشه، نگهدارندههای پوششدادهشده با کاتالیست، پودرها و مواد الیافی (آنیل با اتمسفر کنترلشده)، و پیشسازهای اکسید فلزی و کربنی.
سامانهٔ سنتز لایهٔ نازک و نانومواد به روش رسوبدهی شیمیایی از فاز بخار (CVD) در کدام خدمات NAKTEM استفاده میشود؟
لایهنشانی نازک: CVD، پیرولیز پاششی و پوششدهی چرخشی و آموزش اپراتور دستگاه.
چه نتایجی دریافت میکنم؟
خروجیهای معمول: نمونههای لایهٔ نازک لایهنشانیشده روی زیرلایههای توافقشده (برچسبخورده، در بستهبندی محافظ)، سابقهٔ فرآیند شامل ترکیب پیشماده/گاز، دما، فشار، نرخ جریان، سرعت چرخش و مدت، نقشهٔ ناحیهٔ پوششدادهشده و ارزیابی یکنواختی ظاهری، مقاومت سطحی، ضخامت، تأیید فاز با XRD/رامان یا تصویربرداری SEM در صورت درخواست، و گزارش خلاصهٔ فرآیند (PDF).
خدمات مرتبط
آماده‌سازی و فرآوری نمونه
لایهنشانی نازک: CVD، پیرولیز پاششی و پوششدهی چرخشی
تولید لایههای نازک عملکردی، پوششهای اکسیدی و لایههای نانومواد به روش رسوب شیمیایی بخار، پیرولیز پاششی فراصوتی و پوششدهی چرخشی.
آموزش
آموزش اپراتور دستگاه
آموزش عملی اپراتور روی دستگاه‌های تحلیلی شامل SEM/EDS، XRD، رامان و رئومتری با پوشش آماده‌سازی نمونه، اندازه‌گیری و تفسیر داده‌ها.
دستگاه‌های مرتبط
طیف‌سنجی و پراش
سامانهٔ طیف‌سنجی میکرو-رامان هم‌کانون مبتنی بر Olympus BX43F
طیف‌سنجی میکرو-رامان با برانگیختگی لیزری برای شناسایی شیمیایی و ساختاری در وضوح میکرومتری، شامل تحلیل فاز و نقص در مواد کربنی، پلیمرها و کانی‌ها.
میکروسکوپی و تصویربرداری
میکروسکوپ الکترونی روبشی ZEISS EVO 10 با آشکارساز EDS آکسفورد
تصویربرداری از مورفولوژی سطح در مقیاس نانومتر همراه با نقشه‌برداری عنصری هم‌زمان به روش طیف‌سنجی پراش انرژی پرتو ایکس.
پوشش و فیلم نازک
سامانهٔ لایهنشانی اسپری پایرولیز فراصوتی Siansonic
لایهنشانی یکنواخت فیلم‌های نازک اکسید فلزی، رسانا و عاملی روی زیرلایههای گرم‌شده با اتمیزه‌سازی فراصوتی محلول‌های پیشماده.
الکتروشیمی و الکتریکی
سامانهٔ اندازه‌گیری مقاومت سطحی با پروب چهارنقطه‌ای Ossila P2010A2
اندازه‌گیری مقاومت سطحی، مقاومت ویژه و رسانندگی لایههای نازک، پوشش‌ها و ویفرهای نیمه‌رسانا مستقل از مقاومت تماسی.
درخواست آنالیز با این دستگاه
نمونه و پرسش خود را با ما در میان بگذارید. پژوهشگران ما امکان‌سنجی را تأیید و یک برنامهٔ اندازه‌گیری پیشنهاد می‌کنند.